70T633S10BFI8

IDT (Integrated Device Technology)

70T633S10BFI8
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Parte n 70T633S10BFI8
fabbricante IDT (Integrated Device Technology)
Descrizione IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
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(in dollari USA)
1000 pcs
$145.442
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specificazioni

Scheda dati

Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:10ns
Tensione di alimentazione -:2.4 V ~ 2.6 V
Tecnologia:SRAM - Dual Port, Asynchronous
Contenitore dispositivo fornitore:208-CABGA (15x15)
Serie:-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:208-LFBGA
Altri nomi:IDT70T633S10BFI8
IDT70T633S10BFI8-ND
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:SRAM
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Descrizione dettagliata:SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 10ns 208-CABGA (15x15)
Numero di parte base:IDT70T633
Tempo di accesso:10ns
Email:RFQ@blueschip-store.com

Introdurre

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